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產(chǎn)品分類(lèi)
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
4886
3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
4363
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管,整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改,SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇,有著廣泛的輸出電流,從15A到1200A,電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng),晶體化AC電機(jī)控制器的線(xiàn)性整流,DC電機(jī)控制以及電源,溫度控制
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
4151
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
2023-12-25
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4795
直流斬波器又稱(chēng)為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用,如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。
2023-12-25
經(jīng)銷(xiāo)商
3902
SEMIX有各種晶閘管/二極管模塊,IGBT模塊和整流橋。,所有的逆變單元都是緊湊的扁平化設(shè)計(jì),且高度都統(tǒng)一為17mm,它采用了彈簧技術(shù),控制單元全是無(wú)焊接接觸,且每一基本單元都類(lèi)似,可快速生產(chǎn)。SEMIX晶閘管/二極管模塊的電流范圍有140A-300A,電壓等級(jí)有1600V。SEMIX 的IGBT模塊可以用在AC/DC電機(jī)控制的輸入整流橋中,且適用于開(kāi)關(guān)電源,電流變頻,UPS,電焊機(jī)裝置中。
2023-12-25
經(jīng)銷(xiāo)商
3641
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
2023-12-25
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3601
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小
2023-12-25
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