三菱電機(jī)基于高可靠性、高魯棒性及低損耗設(shè)計(jì)了X系列HVIGBT，在H系列和R系列相同封裝的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)展了電流等級(jí)。

X系列HVIGBT芯片采用了表面電荷控制(SCC)技術(shù)，該技術(shù)使HVIGBT模塊具有出色的濕度魯棒性，如圖11.14所示。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，由于芯片終端覆蓋有絕緣層，因此沒(méi)有釋放表面電荷的路徑。然而，在采用SCC技術(shù)的終端結(jié)構(gòu)中，表面電荷可以通過(guò)半絕緣層泄放，表面電荷不會(huì)對(duì)芯片終端電場(chǎng)產(chǎn)生不利影響。因此，即使有凝露，也能保持優(yōu)良的阻斷電壓特性。

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優(yōu)勢(shì)，IGBT采用了CSTBT (III)(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor)芯片技術(shù)，續(xù)流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結(jié)構(gòu)。這兩種芯片技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)通態(tài)損耗、開(kāi)關(guān)損耗的降低和增強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)擴(kuò)展了魯棒性、低損耗和SOA這三項(xiàng)技術(shù)邊界。其飽和壓降和反并聯(lián)二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比

對(duì)于動(dòng)車(chē)組，推薦的HVIGBT型號(hào)如下：

 

 

對(duì)于地鐵或輕軌，推薦的HVIGBT型號(hào)如下

 

 

 

 

 

CM1000HC-66R 除了IGBT外， 該模塊還包括集成式(集成的)門(mén)驅(qū)動(dòng)電路，以及檢測(cè)和防止過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱和門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓不足(門(mén)極驅(qū)動(dòng)欠壓)等故障的電路。

電力機(jī)車(chē)牽引的兩電平變頻器IPM模塊PM1200HCE330-1

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進(jìn)一步發(fā)揮IGBT芯片的性能，采用的驅(qū)動(dòng)電路，是將自我保護(hù)（過(guò)電流、控制電源電壓降低、過(guò)熱）功能等實(shí)現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻(xiàn)力量，作為IPM，產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達(dá)到3.3kV/1.2kA北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊CM1000HC-66R

PM1200HCE330-1主要用途變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置

CM900HC-90H 203

CM900HC-90H 204

CM900HB-90H
CM900HG-90H

CM1200HC-66H

CM1200HB-66H 209

CM1200HG-90R

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM600HG-130H

DTR0000205475/H

FZ1500R33HE3

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無(wú)感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

操作面板  

CM800DZ-34H

CM800HC-66H

CM1500HC-66R

CM1000HC-66R

DD600N16K-A

5SNA 1200E330100

CM1200HG-66H

FZ1200R33KL2C_B5

ST1200FXF22

CM900HB-90H

MG900GXH1US53

CM750HG-130R

CM1200HG-90R

T0900EA45A

5SNA 0600G650100