北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車IGBT模塊CM750HG-130R

軌道車輛中廣泛采用IGBT模塊構(gòu)成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻（CVCF）逆變器。國外的地鐵或輕軌車輛輔助系統(tǒng)都采用方案多樣的IGBT器件。
動(dòng)車組中，主變流器的開關(guān)使用耐壓高達(dá)6500V／600A的IGBT器件，輔助變流器采用開關(guān)頻率為1950Hz的PWM技術(shù)，由3臺(tái)雙IGBT和相關(guān)反并聯(lián)二極管組成，每臺(tái)雙IGBT組成三相中的一相

鐵路牽引是三菱電機(jī)HVIGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，同時(shí)，三菱電機(jī)擁有自己的牽引變流器企業(yè)，對(duì)HVIGBT在該領(lǐng)域的應(yīng)用有相當(dāng)經(jīng)驗(yàn)，所以我們可以為客戶提供很好的支持。三菱電機(jī)有1.7kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV的HVIGBT，滿足不同電壓等級(jí)的應(yīng)用

三菱電機(jī)基于高可靠性、高魯棒性及低損耗設(shè)計(jì)了X系列HVIGBT，在H系列和R系列相同封裝的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)展了電流等級(jí)。

X系列HVIGBT芯片采用了表面電荷控制(SCC)技術(shù)，該技術(shù)使HVIGBT模塊具有出色的濕度魯棒性，如圖11.14所示。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，由于芯片終端覆蓋有絕緣層，因此沒有釋放表面電荷的路徑。然而，在采用SCC技術(shù)的終端結(jié)構(gòu)中，表面電荷可以通過半絕緣層泄放，表面電荷不會(huì)對(duì)芯片終端電場(chǎng)產(chǎn)生不利影響。因此，即使有凝露，也能保持優(yōu)良的阻斷電壓特性。北京京誠宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優(yōu)勢(shì)，IGBT采用了CSTBT (III)（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）芯片技術(shù)，續(xù)流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結(jié)構(gòu)。這兩種芯片技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)通態(tài)損耗、開關(guān)損耗的降低和增強(qiáng)的開關(guān)性能，同時(shí)擴(kuò)展了魯棒性、低損耗和SOA這三項(xiàng)技術(shù)邊界。其飽和壓降和反并聯(lián)二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比北京京誠宏泰科技有限公司

對(duì)于動(dòng)車組，推薦的HVIGBT型號(hào)如下：

供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車IGBT模塊CM750HG-130R

對(duì)于地鐵或輕軌，推薦的HVIGBT型號(hào)如下

供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車IGBT模塊CM750HG-130R

不同于機(jī)車與動(dòng)車組，地鐵或輕軌站與站之間的距離較短，牽引變流器需要不斷的啟停，對(duì)HVIGBT模塊來說，結(jié)溫和殼溫的溫度波動(dòng)循環(huán)更多。因此除了高可靠性要求外，還需要HVIGBT具有足夠的壽命，滿足牽引變流器的壽命設(shè)計(jì)要求。北京京誠宏泰科技有限公司

與前幾代相比，X系列使用高溫焊料進(jìn)行芯片連接。此外，除了金屬化陶瓷基板的改進(jìn)，用于將基板連接到底板的焊料也得到了改進(jìn)。最后，采用改進(jìn)的凝膠材料進(jìn)一步提高了功率循環(huán)能力。與前一代相比，新封裝技術(shù)使功率循環(huán)能力提高了2.7倍

CM1000HC-66R 除了IGBT外，該模塊還包括集成式(集成的)門驅(qū)動(dòng)電路，以及檢測(cè)和防止過流、過壓、過熱和門驅(qū)動(dòng)電壓不足(門極驅(qū)動(dòng)欠壓)等故障的電路。

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進(jìn)一步發(fā)揮IGBT芯片的性能，采用的驅(qū)動(dòng)電路，是將自我保護(hù)（過電流、控制電源電壓降低、過熱）功能等實(shí)現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻(xiàn)力量，作為IPM，產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達(dá)到3.3kV/1.2kA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊CM750HG-130R

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

專業(yè)銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板

產(chǎn)品屬性	屬性值	搜索類似
制造商:	Misubsh Elecric
產(chǎn)品種類:	IGBT 模塊
供應(yīng)商：	北京京誠宏泰科技有限公司
RoHS:	N
產(chǎn)品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Triple
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO:	6500 V
集電極—射極飽和電壓:	3.45 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:	750 A
柵極—射極漏泄電流:	0.5 uA
Pd-功率耗散:	11300 W
封裝 / 箱體:	Module
工作溫度:	- 40 C
工作溫度:	+ 125 C
封裝:	Bulk
商標(biāo):	Misubih Electc
柵極/發(fā)射極電壓:	20 V
安裝風(fēng)格:	SMD/SMT
產(chǎn)品類型:	IGBT Modules
系列:	CM750HG-130R
	2
子類別:	IGBTs
技術(shù):	Si

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供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車IGBT模塊CM750HG-130R
三菱大功率IGBT模塊
4500V高壓IGBT模塊CM900HC-90H
3300V高壓IGBT模塊CM1200HB-66H
HVIPM模塊PM1200HCE330-1

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