IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號(hào)：FF200R12KS4
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-01-19
訪問(wèn) 量：5196

立即咨詢(xún)

聯(lián)系電話：010-64824799

詳細(xì)介紹

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售英飛凌高頻IGBT模塊FF200R12KS4

集電極—射極擊穿電壓: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 200 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

柵極/發(fā)射極zui大電壓: 20 V

zui大工作溫度: + 125℃

zui小工作溫度: - 40℃

適用于電焊機(jī) 感應(yīng)加熱高頻率等高頻硬開(kāi)關(guān)

FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3_E
FF200R12KT3
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF225R12ME3
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4
FF225R12MS4
FF300R12KE3
FF300R12KE4_B2
FF300R12KE4
FF300R12KS4
FF300R12KT3_E
FF300R12KT3
FF300R12KT4
FF300R12ME3
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4
FF300R12MS4
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3
FF400R12KT3_E
FF400R12KT3
FF400R12KL4C
FF450R12KE4
FF450R12KT4
FF450R12ME3
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4
FF450R12IE4
FF600R12ME4_B11
FF600R12ME4
FF600R12KE3
FF600R12KF4
FF600R12KL4C
FF800R12KL4C
FF600R12IE4
FF600R12IP4
FF600R12IS4F
FF800R12KE3
FF800R12KF4
FF900R12IE4
FF900R12IP4
FF900R12IP4D
FF1200R12KE3
FF1400R12IP4